Chip-Krieg: China überrascht mit Durchbruch bei Speicherchips
Chinesischer Chiphersteller CXMT überrascht auf Konferenz in San Francisco. Technologische Lücke zur Weltspitze wird trotz US-Sanktionen kleiner.
Mit Sanktionen versuchen die USA, China an der Entwicklung fortschrittlicher Technologien zu hindern. Diese Politik verfolgte die Trump-Administration ebenso wie derzeit die Regierung von Joe Biden. Doch inzwischen mehren sich die Anzeichen, dass Washington damit keinen Erfolg hat.
China investiere weiterhin Milliarden in seinen Chipsektor, schreibt der Finanzdienst Bloomberg, und diese Investitionen scheinen sich auszuzahlen. Kürzlich hat Huawei sein Smartphone Mate 60 Pro auf den Markt gebracht und damit für Aufsehen gesorgt.
ChangXin Memory Technologies mit neuer Sensation
Nun meldet der chinesische Speicherchip-Hersteller ChangXin Memory Technologies (CXMT) einen weiteren technologischen Durchbruch. Auf der 69. Jahrestagung des IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) in San Francisco präsentierte das Unternehmen ein Papier, das auf die Möglichkeit der Entwicklung von Gate-Allround-Transistoren (GAA) hinweist.
Diese Technologie gilt als der fortschrittlichste Transistortyp für zukunftsweisende 3-Nanometer-Chips. Zum Vergleich: Die westliche Öffentlichkeit war vom Huawei Mate 60 Pro überrascht, da man China die Produktion von 7-Nanometer-Chips nicht zugetraut hatte.
US-Sanktionen fördern Streben nach technologischer Eigenständigkeit
In einem Interview mit Bloomberg sagten Dylan Patel von SemiAnalysis und Doug O'Loughlin von Fabricated Knowledge, dass man es vor fünf Jahren für verrückt gehalten hätte, von solchen Fortschritten zu sprechen.
In 10 oder 20 Jahren werde man sagen, dass das Streben der USA nach technologischer Dominanz rückwärtsgewandt war. China werde dann nicht nur das technologische Know-how selbst entwickelt und eine eigene Chip-Industrie aufgebaut haben, sondern auch über genügend eigene Talente verfügen.
Wie andere chinesische Chiphersteller ist auch CXMT von weitreichenden US-Exportbeschränkungen betroffen. Das Unternehmen wurde jedoch nicht wie sein in Wuhan ansässiger Konkurrent Yangtze Memory Technologies Co. auf die Washingtoner Entity List gesetzt.
Erst im Oktober hatte Washingtons Bureau of Industry and Security die Exportbeschränkungen für chinesische Unternehmen verschärft. Betroffen war eine Reihe von Anlagen, die für Prozesse in der Chipherstellung benötigt werden. Insbesondere in den Bereichen Lithografie, Ätzen, Abscheiden, Implantieren und Reinigen wird versucht, die chinesischen Kapazitäten einzuschränken.
CXMTs Weg zur Spitze der Chip-Technologie
Vor diesem Hintergrund ist es nicht verwunderlich, dass CXMT als einer der größten Hoffnungsträger Chinas gilt, speziell im Bereich der dynamischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff (DRAM). Das 2016 gegründete Unternehmen könnte es auf dem globalen DRAM-Markt mit Giganten wie Samsung Electronics, SK Hynix und Micron Technology aufnehmen.
Erst vor zwei Wochen gab CXMT laut South China Morning Post bekannt, dass es den ersten LPDDR5 (Low Power Double Data Rate 5) DRAM-Chip in China hergestellt hat. Damit hat das Unternehmen den Abstand zu führenden Anbietern wie Samsung und SK Hynix aus Südkorea verringert.
CXMTs Innovationen und globale Ambitionen
CXMT unterstreicht mit weiteren Entwicklungen, dass es auch in anderen Bereichen als der DRAM-Technologie eine führende Rolle anstrebt. So hat das Unternehmen auch High-Bandwidth Memory (HBM)-Chips entwickelt, die zunehmend in KI-Anwendungen eingesetzt werden, um die Datenübertragungsgeschwindigkeit zu erhöhen.
Die Bedeutung der GAA-Technologie
Die von CXMT erforschte GAA-Technologie ist für die Entwicklung von Logikchips der nächsten Generation von entscheidender Bedeutung. Sie ermöglicht eine kontinuierliche Skalierung der Transistoren, was bedeutet, dass mehr Transistoren auf einem integrierten Schaltkreis (IC) untergebracht werden können.
Diese Technologie ist besonders wichtig, da die führenden Chip-Herstellungsprozesse von globalen Foundries wie Taiwan Semiconductor Manufacturing und Samsung immer weiter unter 3 Nanometer gehen.
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