Kreuz und quer
Nanoelelektronik verdrahten: Dünne Drähte lassen sich mit dicken Kontakten elektrisch ansteuern
Dicht gepackte nanoelektronische Bauelemente nützen nichts ohne Verdrahtung. Amerikanische Forscher haben ein Prinzip entdeckt, mit dem sich solche Bauelemente mit nur sehr wenigen Drähten kontaktieren lassen, ohne Nano-Lithografie betreiben zu müssen, zudem lässt das Verfahren gewisse Fertigungstoleranzen zu. Eine nahe liegende technische Anwendung sind besonders filigrane Speicherbausteine und Logikschaltkreise, möglich wären künftig biomolekulare Sensoren mit einer räumlichen Auflösung von 10 Nanometern.
Wissenschaftler des California Institute of Technology in Pasadena haben ein Prinzip zum Verdrahten nanoelektronischer Bauelemente entdeckt, mit dem sich beispielsweise zukünftige Miniatur-Speicher ansteuern ansteuern ließen; sie berichten über ihre Ergebnisse in der Online-Ausgabe der Zeitschrift Science vom 29. September 2005.
Die Forscher haben ein Bündel von 150 Nanodrähten aus Silizium einer Dicke von 13 nm und einem seitlichen Versatz von 34 nm angeschlossen. Während der optischen Lithographie derzeit nur minimale Längen einer Größenordnung eines zehntel Mikrometers zugänglich sind, liegt die Ausdehnung künftiger, aus Molekülen oder Makromolekülen zusammengesetzter elektronischer Bauelemente in der Größenordnung eines Nanometers.
Wie lassen sich nun Kontakte herstellen und filigrane Bauelemente ansteuern? Will man viele Nanodrähte mit wenigen dicken Drähten kontaktieren, so bietet sich ein Wechselschalter an, auch De-Multiplexer genannt. Ein Nanodraht, der normalerweise leitet, kann unter dem Einfluss eines elektrischen Feldes isolierend werden, so lassen sie sich durch das Anlegen einer Spannung ansteuern und somit festlegen, welches Drähtchen leitend bleiben soll.
Die Zahl der zum Ansteuern von n filigranen Kontakten erforderlichen Drähte ist im wesentlichen der Zweierlogarithmus der Zahl n, eben die für eine Hausnummer nötige Anzahl der Stellen einer Binärzahl. Hinzu kommen jedoch – analog zu den heutigen DRAM-Speicherchips – zusätzliche redundante Nanodrähte, so dass sich die Zahl der Anschlüsse noch etwas erhöht. Dieser Kniff ist nötig, um die zulässigen Fertigungstoleranzen in praktikablen Größenordnungen zu halten.