Fahnder_der_Stille schrieb am 17.07.2024 13:46:
Mit der derzeitigen IGBT-Halbleitertechnologie zumindest ist das so.
Wenn wir schon bei Nerdkram sind, werfe ich da gern in den Raum, dass es inzwischen auch SiC-MOSFETs gibt und IGBTs nicht mehr die einzige Option sind. Das erste Mal, als ich ein Datenblatt von so einem SiC-MOSFET gesehen habe, dachte ich: "Ist das echt oder ist das Nerdp**n?" ;)
Hier wäre eins:
https://www.mouser.de/datasheet/2/196/Infineon_5_29_2024_DS_FF2000UXTR33T2M1_v1_00_en-3453443.pdf
Preis ist bei Mouser allerdings 6400€ für so ein Halbbrücken-Modul. Ich denke aber, dass die rasch billiger werden.
Real zumuten kann man dem Modul vielleicht 2800 Volt und 700 Ampere effektiv, also 2 Megawatt.
Peak sind 2000A Strom erlaubt, also 1400A peak effektiv.
Mit 3 dieser Module (und natürlich weiteren Bauteilen!) könnte man einen Drehstrom-Wechselrichter mit ca. 6 MW Dauerleistung und 12 MW Kurzschlussleistung bauen.
Falls so ein Modul in größeren Stückzahlen 2000€ statt den 6400€ bei Mouser kostet, wäre man damit bei 1000€ pro MW oder einer Million € pro GW. Und das klingt für mich nicht mehr so unrealistisch.
Das Posting wurde vom Benutzer editiert (18.07.2024 15:03).