Unsere ganze Digitaltechnik beruht darauf, zwei Schaltzustände zu erzeugen an/aus bzw. leitend/nicht leitend.
Dazu müssen die Ladungsträger (Elektronen) in die Sperrschicht eines Transistors hinein (leitender Zustand) bzw. raus befördert werden (gesperrter Zustand).
Wenn Ladungsträger bewegt werden heißt das, es fließt ein Strom.
Je weniger Elektronen bewegt werden müssen und je höher die Leitfähigkeit, desto schneller die Schaltgeschwindigkeit.
Bisher wurde das erreicht durch die Verringerung der Leiterbreite bis runter in den Nanometer Bereich. Die Dicke der Strukturen ist ein weiterer Parameter um die Schaltgeschwindigkeit noch weiter zu steigern.
Als willkommene Nebenwirkungen wird gleichzeitig die Packungsdichte der Transistoren erhöht und der Leistungsbedarf verringert.