Halbleiterguru schrieb am 09.08.2024 11:29:
2. Die Auflösung und das beleuchtete Feld ist stark reduziert. 24nm, 20mmx26mm, bei NA0.2. Zum Vergleich EUV ist 13nm, 26mmx33mm, da NA0.33.
3. Man könnte auch 16nm erreichen, bei NA0.3, braucht dann aber gekrümmte Maskenoberflächen und kann nur noch 10mm(x 26mm)
Wie muss man diese 24 nm auf die Strukturbreite umrechnen ? Denn 28 nm geht problemlos mit DUV (hab davon einen Wafer zuhause herumliegen), und 25 nm glaub ich auch. Von EUV hab ich eigentlich erst unter 10 nm gehoert.
Von NA0.2 und NA0.33 hab ich noch nicht gehoert. Was sind das fuer Parameter ?
Sind gekruemmte Masken ein Problem, oder bloss unueblich ? Seit Hubble weiss ja mehr oder weniger jedes Kind, dass man auch eine vermurkste Optik sehr wohl hervorragende Bilder liefern kann, beispielsweise wenn man rechnerisch etwas nachhilft. (Wirklich gekruemmte, also nicht nur berechnete, Masken wuerde ich freilich auch nur dann basteln muessen, wenn weder Geld noch Zeit eine Rolle spielen. Ich hab schon wesentlich einfachere Projekte zu Millionengraebern werden sehen, wenn man sich beim Mechanical Design uebernimmt.)
Maximale Belichtungsfenster sollten auch nur dann ein Problem sein, wenn man ueberall feine Strukturen braucht. Wenn's gelegentlich auch etwas weniger sein kann, dann sollte man Teilschaltungen zusammenstueckeln koennen. Natuerlich muss die Fab ein solches Patchwork anbieten, oder zumindest ausreichend experimentierfreudig sein, um bei der Entwicklung mitzumachen.
- Werner