Nur mal so, die hier erwähnten HfO FeFETs sind hier in Deutschland entdeckt und weiter entwickelt wurden. Selbst das Paper erwähnt DIE Veröffentlichung dazu
T. S. Böscke, J. Müller, D. Bräuhaus, U. Schröder, U. Böttger, Ferroelectricity in hafnium oxide thin films. Appl. Phys. Lett. 99, 102903 (2011).
Das war quasi eine Qimonda-„Abfallprodukt“. Qimonda hat zusammen mit dem FhG CNT, HfO für DRAM Speicherzellen untersucht und entdeckt das unter bestimmten Umständen, selbst eine nur 10nm dicke HfO Schicht ferroelektrisch ist. Nach der Qimonda Insolvenz, hat man das mit dem Namlab stärker untersucht und dieses Paper veröffentlicht. Das Paper ist heute über 2000 mal zitiert wurden und hat eine ganze Forschungsrichtung (FeFETs) begründet.