In Tests konnte der Transistor mindestens 100 Milliarden Mal ein- und ausgeschaltet werden, ohne Verschleißerscheinungen zu zeigen. Damit ist er deutlich langlebiger als die heute üblichen Flash-Speicher.
Die Abnutzung von Flash-Speichern liegt im der Art, wie er beschreiben oder gelöscht wird. Das hat aber nichts mit üblichen Transistoren zu tun.
Dabei werden zwei Schichten von Bornitrid-Atomen leicht gegeneinander verschoben, wenn eine elektrische Spannung angelegt wird.
Ok? Bornitrid ist ein Atom? Imho ist es eine Verbindung.
Bleibt die Verschiebung spannungsfrei erhalten und kann dann der Zustand ausgelesen werden? Dann wäre es tatsächlich ein Ersatz für Flash-Speicher. Davon ist aber nicht die Rede, nur von Schaltzeiten und Schaltcyclen.
Bei BN würde ich eine große Bandlücke erwarten. Für Leistungsanwendungen oder Höhere Spannungen sicher gut, für Prozessoren eher nicht, da die Leistung mit der erforderlichen Schaltspannung steigt.
Das Posting wurde vom Benutzer editiert (09.09.2024 14:44).