Sowohl Flash als auch FeFETs sind Transistoren, aber eben mit veränderlicher (programmierbarer) Einsatzspannung.
Bei einer Floating-Gate Flashzelle werden Elektronen in ein isoliertes Gate verschoben (FN-Tunneln oder Hot Carrier) und damit hat man eine negative Spannung, der Transistor geht später auf und treibt weniger Strom. Wenn eine Flashzelle gelöscht wird, werden die Elektronen entfernt und der Transistor öffnet eher bzw. ist offen treibt mehr Strom.
Beim FeFET wird das Dielektrikum polarisiert, je nach Richtung des Feldes hat man eine Verstärkung oder Abschwächung der eigentlich Gatespannung. Die Einsatzspannung sinkt (Drivestrom steigt) oder steigt (Drivestrom sinkt).